SI2319DS
Kod producenta: SI2319DS-T1-E3
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -40V; -2.3A; 0.082ohm; 0.75W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 1,90 |
| 10+ | 1,61 |
| 100+ | 1,14 |
| 500+ | 1,01 |
| 1000+ | 0,92 |
| 3000+ | 0,81 |
| 6000+ | 0,77 |
| 9000+ | 0,75 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
VISHAY
Kod
SI2319DS
Kod producenta
SI2319DS-T1-E3
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
0.0001
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
82mOhm
Typ tranzystora
P-MOSFET
Napięcie dren-żródło
40V
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Napięcie DS
40V
Prąd drenu
3A
Producent
VISHAY
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Typ
Kanał P
Moc rozpraszana
750mW
90
sztuk w magazynie
Ilość
(wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Razem 1,90 PLN netto
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
