SI2312BDS
Kod producenta: SI2312BDS-T1-E3
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 3.9A; 0.031ohm; 0.75W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 2,16 |
| 10+ | 1,85 |
| 100+ | 1,28 |
| 500+ | 1,00 |
| 1000+ | 0,82 |
| 3000+ | 0,75 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
VISHAY
Kod
SI2312BDS
Kod producenta
SI2312BDS-T1-E3
Waga netto (kg)
0.00002
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
31mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Napięcie dren-żródło
20V
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Napięcie DS
20V
Prąd drenu
3.9A
Producent
VISHAY
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Typ
Kanał N
Moc rozpraszana
750mW
0
sztuk w magazynie
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
