SI2308BDS
Kod producenta: SI2308BDS-T1-E3
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 2.3A; 0.156ohm; 1.66W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 0,90 |
| 50+ | 0,819 |
| 100+ | 0,729 |
| 500+ | 0,657 |
| 1000+ | 0,6376 |
| 3000+ | 0,5487 |
| 6000+ | 0,5278 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
VISHAY
Kod
SI2308BDS
Kod producenta
SI2308BDS-T1-E3
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
0.000085
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
156mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Napięcie dren-żródło
60V
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Napięcie DS
60V
Prąd drenu
2.3A
Producent
VISHAY
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Typ
Kanał N
Moc rozpraszana
1.66W
3302
sztuk w magazynie
Ilość
(wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Razem 0,90 PLN netto
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
