SQ2309ES-T1-GE3-VB
Kod producenta: SQ2309ES-T1-GE3
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -60V; -5.2A; 0.05ohm; 2W; -55+175 st.C; SMD; SOT23
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 0,50 |
| 25+ | 0,47 |
| 100+ | 0,46 |
| 1000+ | 0,43 |
| 3000+ | 0,38 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
VB-SEMI
Kod
SQ2309ES-T1-GE3-VB
Kod producenta
SQ2309ES-T1-GE3
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
0.00002
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
50mOhm
Typ tranzystora
P-MOSFET
Napięcie dren-żródło
-60V
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Napięcie DS
-60V
Prąd drenu
-5.2A
Producent
VB SEMI
Temperatura pracy
-55+175 st.C
Typ
Kanał Punipolarny
Moc rozpraszana
2W
5068
sztuk w magazynie
Ilość
(wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Razem 0,50 PLN netto
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
