SI2319DS-T1-GE3-VB
Kod producenta: SI2319DS-T1-GE3
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -30V; -5.6A; 0.046ohm; 2.5W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 2,49 |
| 10+ | 2,11 |
| 25+ | 1,64 |
| 100+ | 1,50 |
| 250+ | 1,31 |
| 500+ | 1,19 |
| 1000+ | 1,17 |
| 3000+ | 1,13 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
VB-SEMI
Kod
SI2319DS-T1-GE3-VB
Kod producenta
SI2319DS-T1-GE3
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
46mOhm
Typ tranzystora
P-MOSFET
Napięcie dren-żródło
-30V
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Napięcie DS
-30V
Prąd drenu
-5.6A
Producent
VB SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Typ
Kanał Punipolarny
Moc rozpraszana
2.5W
5900
sztuk w magazynie
Ilość
(wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Razem 2,49 PLN netto
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
