SI2312BDS-T1-GE3-VB
Kod producenta: SI2312BDS-T1-GE3
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 6A; 0.028ohm; 2.1W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
| Ilość szt. | Cena netto PLN/szt. |
|---|---|
| 1+ | 3,39 |
| 25+ | 1,27 |
| 100+ | 1,12 |
| 500+ | 1,01 |
| 3000+ | 0,94 |
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
VB-SEMI
Kod
SI2312BDS-T1-GE3-VB
Kod producenta
SI2312BDS-T1-GE3
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
28mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Napięcie dren-żródło
20V
Obudowa
SOT23
Montaż
SMD
Napięcie DS
20V
Prąd drenu
6A
Producent
VB SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Typ
Kanał Nunipolarny
Moc rozpraszana
2.1W
100
sztuk w magazynie
Ilość
(wielokrotność: 1 szt.)
Minimalna ilość zakupu: 1 szt.
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Razem 3,39 PLN netto
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
