PMEB2516Q
Kod producenta: PMEB2516Q
Tranzystor: N+N-MOSFET; unipolarny; 20V; 20A; 0.0082ohm; 10.8W; dioda ESD; -55+150 st.C; SMD; DFN2X3-6
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
POTENS-SEMI
Kod
PMEB2516Q
Kod producenta
PMEB2516Q
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
8.2mOhm
Typ tranzystora
2xN-MOSFET
Napięcie dren-żródło
20V
Obudowa
DFN2X3-8
Montaż
SMD
Napięcie DS
20V-20V
Prąd drenu
-2.5A
Producent
POTENS SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Typ
Kanał N i Punipolarny
Moc rozpraszana
10.8W
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
