Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 320A; 0.0011ohm; 480W; -55+150 st.C; SMD; TOLL

PDT89E6BH

Kod producenta: PDT89E6BH

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 320A; 0.0011ohm; 480W; -55+150 st.C; SMD; TOLL

Informacje
Producent
POTENS-SEMI
Kod
PDT89E6BH
Kod producenta
PDT89E6BH
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
2000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
1.1mOhm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Napięcie dren-żródło
80V
Obudowa
TOLL
Montaż
SMD
Napięcie DS
80V
Prąd drenu
320A
Producent
POTENS SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Typ
Kanał Nunipolarny
Moc rozpraszana
480W
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 2000
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Paweł Kasowicz
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy