Tranzystor: N+N-MOSFET; unipolarny; 40V; 10A; 0.015ohm; 2.1W; -55+150 st.C; SMD; SO8

PDS4856

Kod producenta: PDS4856

Tranzystor: N+N-MOSFET; unipolarny; 40V; 10A; 0.015ohm; 2.1W; -55+150 st.C; SMD; SO8

Informacje
Producent
POTENS-SEMI
Kod
PDS4856
Kod producenta
PDS4856
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
15mOhm
Typ tranzystora
2xN-MOSFET
Napięcie dren-żródło
40V
Obudowa
SO8
Montaż
SMD
Napięcie DS
40V
Prąd drenu
10A
Producent
POTENS SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Typ
2 x kanał Nunipolarny
Moc rozpraszana
2.1W
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Paweł Kasowicz
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy