PDB2116M
Kod producenta: PDB2116M
Tranzystor: N+P-MOSFET; unipolarny; 20V/-20V; 3.8A/-2.5A; 0.04ohm/0.09ohm; 1.25W; -55+150 st.C; SMD; DFN2X3-8
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
POTENS-SEMI
Kod
PDB2116M
Kod producenta
PDB2116M
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
40mOhm/90mOhm
Typ tranzystora
N+P-MOSFET
Napięcie dren-żródło
20V
Obudowa
DFN2X3-8
Montaż
SMD
Napięcie DS
20V-20V
Prąd drenu
-2.5A
Producent
POTENS SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Typ
Kanał N i Punipolarny
Moc rozpraszana
1.25W
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
