PDB1216E
Kod producenta: PDB1216E
Tranzystor: N+N-MOSFET; unipolarny; 12V; 6A; 0.023ohm; 1.25W; -55+150 st.C; SMD; DFN2X2-6
Pliki do pobrania
Pliki do pobrania
Informacje
Producent
POTENS-SEMI
Kod
PDB1216E
Kod producenta
PDB1216E
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
23mOhm
Typ tranzystora
2xN-MOSFET
Napięcie dren-żródło
12V
Obudowa
DFN2X2-6
Montaż
SMD
Napięcie DS
12V
Prąd drenu
6A
Producent
POTENS SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Typ
2 x kanał N
Moc rozpraszana
1.25W
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
