Tranzystor: N+N-MOSFET; unipolarny; 100V; 1.2A; 0.39ohm; 1.25W; -55+150 st.C; SMD; DFN2X2-6

PDB0854S

Kod producenta: PDB0854S

Tranzystor: N+N-MOSFET; unipolarny; 100V; 1.2A; 0.39ohm; 1.25W; -55+150 st.C; SMD; DFN2X2-6

Informacje
Producent
POTENS-SEMI
Kod
PDB0854S
Kod producenta
PDB0854S
Opakowanie
rolka
Ilość w opakowaniu
3000
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
390mOhm
Typ tranzystora
2xN-MOSFET
Napięcie dren-żródło
100V
Obudowa
DFN2X2-6
Montaż
SMD
Napięcie DS
100V
Prąd drenu
1.2A
Producent
POTENS SEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Typ
2 x kanał N
Moc rozpraszana
1.25W
Opakowanie: rolka
Ilość w opakowaniu: 3000
Kontakt z konsultantem
test
Opiekunem produktu jest Paweł Kasowicz
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy