FQD2N60CTM
Kod producenta: FQD2N60CTM
FQD2N60CTM tranzystor MOSFET, kanał typu N, 600V, 1.9A, 3.6ohm, TO-252AA
Informacje
Producent
ONSEMI
Kod
FQD2N60CTM
Kod producenta
FQD2N60CTM
Waga netto (kg)
Kod PCN
8541290000
Dane techniczne
Polaryzacja
unipolarny
Rezystancja w stanie przewodzenia
3.6Ohm
Typ tranzystora
N-MOSFET
Napięcie dren-żródło
600V
Obudowa
DPAK-3(TO-252-3)
Montaż
SMD
Prąd drenu
1.9A
Producent
ONSEMI
Temperatura pracy
-55+150 st.C
Moc rozpraszana
2.5W
Kontakt z konsultantem
Zadzwoń lub wyślij wiadomość, a na pewno pomożemy
